CTS晶振445,445C25D25M00000陶瓷晶振

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CTS晶振445,445C25D27M00000陶瓷晶振

频率：27MHZ

尺寸：5.0*3.2mm

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订购热线：0755-27838351

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CTS晶振445,445C25D25M00000陶瓷晶振

CTS晶振规格	单位	晶振频率范围	石英晶振基本条件
标准频率	f_nom	27MHZ	标准频率
储存温度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作温度	T_use	-20°C ～ +70°C	标准温度
激励功率	DL	200μW Max.	推荐:1μW ～ 100μW
频率公差	f_— l	±20× 10-6 (标准), (±15 × 10-6 ～ ±50 × 10-6 可用)	+25°C 对于超出标准的规格说明, 请联系我们以便获取相关的信息,http://www.epsoncrystal.com/
频率温度特征	f_tem	±50 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出标准的规格请联系我们.
负载电容	CL	18PF	不同负载电容要求,请联系我们.
串联电阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
频率老化	f_age	±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

CTS晶振445,445C25D27M00000陶瓷晶振

1.操作：请勿用镊子或任何坚硬的工具,夹具直接接触IC的表面。

2.使用环境（温度和湿度）：请在规定的温度范围内使用石英晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。

激励功率：在晶振上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率。

负极电阻：除非石英晶体振荡器回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加。

负载电容：有源晶振振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡。在使用之前,请指明该振动电路的负载电容。

CTS晶振445,445C25D27M00000陶瓷晶振

CTS晶振集团建立一种可测量的发展和改进的目标指标，定期进行内审和管理评审。在现有的或新生的各种活动中不断监测和改进环境绩效。小型四脚贴片晶振通过对生产活动的持续改进和促进对低效或无效的环境法律法规进行合理化转变，努力提高环境管理中资本的效力。

将生产活动中的环境因素和环境影响的分析纳入我们的决策中来，2脚薄型SMD晶振确保活动中每一分子的运作和发展都体现对污染预防方针的贯彻。

我们将定期对雇员进行教育和培训，5032mm晶振确保他们能够安全高效的工作，树立他们的环保责任感。与雇员、客户、公众、政府及关注公司环境绩效和持续改进计划的相关方进行充分开放的信息交流。

CTS晶振445,445C25D27M00000陶瓷晶振

445（1）

445（2）

CTS原厂编码	生产厂家	型号	频率	频率稳定度	频率偏差	负载电容	ESR电阻
445C35A12M00000	CTS晶振	445	12MHz	±50ppm	±30ppm	10pF	50 Ohm
445C35A12M00000	CTS晶振	445	12MHz	±50ppm	±30ppm	10pF	50 Ohm
445C35A12M00000	CTS晶振	445	12MHz	±50ppm	±30ppm	10pF	50 Ohm
445C25D25M00000	CTS晶振	445	25MHz	±50ppm	±20ppm	18pF	40 Ohm
445C25D25M00000	CTS晶振	445	25MHz	±50ppm	±20ppm	18pF	40 Ohm
445C25D25M00000	CTS晶振	445	25MHz	±50ppm	±20ppm	18pF	40 Ohm
445C25D24M00000	CTS晶振	445	24MHz	±50ppm	±20ppm	18pF	40 Ohm
445C25D24M00000	CTS晶振	445	24MHz	±50ppm	±20ppm	18pF	40 Ohm
445C25D24M00000	CTS晶振	445	24MHz	±50ppm	±20ppm	18pF	40 Ohm
445C25D12M00000	CTS晶振	445	12MHz	±50ppm	±20ppm	18pF	50 Ohm
445C25D12M00000	CTS晶振	445	12MHz	±50ppm	±20ppm	18pF	50 Ohm
445C25D12M00000	CTS晶振	445	12MHz	±50ppm	±20ppm	18pF	50 Ohm
445C25D20M00000	CTS晶振	445	20MHz	±50ppm	±20ppm	18pF	40 Ohm
445C25D20M00000	CTS晶振	445	20MHz	±50ppm	±20ppm	18pF	40 Ohm
445C25D20M00000	CTS晶振	445	20MHz	±50ppm	±20ppm	18pF	40 Ohm
445C25D27M00000	CTS晶振	445	27MHz	±50ppm	±20ppm	18pF	40 Ohm
445C25D27M00000	CTS晶振	445	27MHz	±50ppm	±20ppm	18pF	40 Ohm
445C25D27M00000	CTS晶振	445	27MHz	±50ppm	±20ppm	18pF	40 Ohm
445I23D12M00000	CTS晶振	445	12MHz	±30ppm	±20ppm	18pF	50 Ohm
445I23D12M00000	CTS晶振	445	12MHz	±30ppm	±20ppm	18pF	50 Ohm
445I23D12M00000	CTS晶振	445	12MHz	±30ppm	±20ppm	18pF	50 Ohm
445I23D25M00000	CTS晶振	445	25MHz	±30ppm	±20ppm	18pF	40 Ohm
445I23D25M00000	CTS晶振	445	25MHz	±30ppm	±20ppm	18pF	40 Ohm
445I23D25M00000	CTS晶振	445	25MHz	±30ppm	±20ppm	18pF	40 Ohm
445I23D24M00000	CTS晶振	445	24MHz	±30ppm	±20ppm	18pF	40 Ohm
445I23D24M00000	CTS晶振	445	24MHz	±30ppm	±20ppm	18pF	40 Ohm
445I23D24M00000	CTS晶振	445	24MHz	±30ppm	±20ppm	18pF	40 Ohm
445I23D30M00000	CTS晶振	445	30MHz	±30ppm	±20ppm	18pF	30 Ohm
445I23D30M00000	CTS晶振	445	30MHz	±30ppm	±20ppm	18pF	30 Ohm