泰艺晶振TT,TTEAALSANF-20.000000压控温补晶振
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泰艺晶振TT,TTEAALSANF-20.000000压控温补晶振
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项目
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符号
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规格说明
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条件
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输出频率范围
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f0
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26MHz
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请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
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电源电压
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VCC
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3.3-5.0V
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请联系我们以了解更多相关信息
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储存温度
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T_stg
|
-55℃ to +125℃
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裸存
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工作温度
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T_use
|
G: -40℃ to +85℃
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H: -40℃ to +105℃
|
|
J: -40℃ to +125℃
|
|
频率稳定度
|
f_tol
|
J: ±50 × 10-6
|
|
|
L: ±100 × 10-6
|
|
T: ±150 × 10-6
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功耗
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ICC
|
3.5 mA Max.
|
无负载条件、最大工作频率
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|
待机电流
|
I_std
|
3.3μA Max.
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ST=GND
|
|
占空比
|
SYM
|
45 % to 55 %
|
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
|
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输出电压
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VOH
|
VCC-0.4V Min.
|
|
|
VOL
|
0.4 V Max.
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|
输出负载条件
|
L_CMOS
|
15 pF Max.
|
|
|
输入电压
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VIH
|
80% VCC Max.
|
ST 终端
|
|
VIL
|
20 % VCC Max.
|
|
上升/下降时间
|
tr / tf
|
4 ns Max.
|
20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF
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|
振荡启动时间
|
t_str
|
3 ms Max.
|
t=0 at 90 %
|
|
频率老化
|
f_aging
|
±3 × 10-6 / year Max.
|
+25 ℃, 初年度,第一年
|
泰艺晶振TT,TTEAALSANF-20.000000压控温补晶振
关于冲洗清洁音叉型晶振由于采用小型、薄型的晶振芯片，以及相对而言频率与超音波清洁器相近，所以会由于共振而容易受到破坏，因此请不要用超音波清洁器来冲洗晶振。
关于机械性冲击
(1)从设计角度而言，即使石英晶振从高度75cm处落到硬质木板上三次，按照设计不会发生什么问题，但因落下时的不同条件而异，有可能导致石英芯片的破损。在使之落下或对它施加冲击之时，在使用之前，建议确认一下振荡检查等的条件。
(2)SMD石英晶振与电阻以及电容器的芯片产品不同，由于在内部对石英晶振晶片进行了密封保护，因此关于在自动安装时由于冲击而导致的影响，请在使用之前，恳请贵公司另外进行确认工作。
(3)请尽量避免将本公司的音叉型晶振与机械性振动源(包括超声波振动源)安装到同一块基板上，不得已要安装到同一块基板上时，请确保晶振能正常工作。
泰艺晶振TT,TTEAALSANF-20.000000压控温补晶振
泰艺晶振TT,TTEAALSANF-20.000000压控温补晶振
泰艺晶振公司事业废弃物产出量逐年降低,可回收、再利用之废弃物比例逐年提高,各项排放检测数据符合政府法规要求.并由原材料管控禁用或限用环境危害物质与国际大厂对于绿色生产及绿色产品的要求相符，于2004年通过绿色伙伴(Green Partner)验证.
泰艺石英晶振劳工职业安全卫生议题近年成为世界各国及企业关注焦如何做到‘降低职业灾害发生、7050贴片温补振荡器确保工作场所安全、实施员工健康管理’一直是泰艺晶体努力的方向,公司于2008年12月通过OHSAS18001职业安全卫生管理系统验证,提供劳工符合系统要求的安全卫生工作环境.
自从欧盟颁布各项绿色环保指令（如RoHS）后，7050振荡器世界各国已陆续制定公布相关之法令规章，推动「绿色产品」的发展。泰艺晶振为了对环境与人类贡献一己之力，导入绿色设计之概念，致力生产符合国际绿色环保指令与客户特殊要求的晶振,石英晶振, 有源晶振,压控振荡器。
泰艺晶振TT,TTEAALSANF-20.000000压控温补晶振
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TAITIEN原厂代码
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品牌
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型号
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类型
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频率
|
输出
|
电压
|
频率稳定度
|
|
TTETALJANF-10.000000
|
Taitien
|
TT
|
TCXO
|
10MHz
|
CMOS
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±500ppb
|
|
TTETKLJANF-10.000000
|
Taitien
|
TT
|
TCXO
|
10MHz
|
CMOS
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±280ppb
|
|
TTEAALSANF-20.000000
|
Taitien
|
TT
|
VCTCXO
|
20MHz
|
Clipped Sine Wave
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±500ppb
|
|
TTEAALSANF-26.000000
|
Taitien
|
TT
|
VCTCXO
|
26MHz
|
Clipped Sine Wave
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±500ppb
|
|
TTCABLSANF-13.000000
|
Taitien
|
TT
|
VCTCXO
|
13MHz
|
Clipped Sine Wave
|
5V
|
±1ppm
|
|
TTCTACJANF-50.000000
|
Taitien
|
TT
|
TCXO
|
50MHz
|
CMOS
|
5V
|
±500ppb
|
|
TTEAALJANF-20.000000
|
Taitien
|
TT
|
VCTCXO
|
20MHz
|
CMOS
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±500ppb
|
|
TTETALSANF-25.000000
|
Taitien
|
TT
|
TCXO
|
25MHz
|
Clipped Sine Wave
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±500ppb
|
|
TTEAALJANF-26.000000
|
Taitien
|
TT
|
VCTCXO
|
26MHz
|
CMOS
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±500ppb
|
|
TTEAALSANF-50.000000
|
Taitien
|
TT
|
VCTCXO
|
50MHz
|
Clipped Sine Wave
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±500ppb
|
|
TTEABLJANF-10.000000
|
Taitien
|
TT
|
VCTCXO
|
10MHz
|
CMOS
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±1ppm
|
|
TTEAALJANF-40.000000
|
Taitien
|
TT
|
VCTCXO
|
40MHz
|
CMOS
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±500ppb
|
|
TTCAMCSANF-12.800000
|
Taitien
|
TT
|
VCTCXO
|
12.8MHz
|
Clipped Sine Wave
|
5V
|
±100ppb
|
|
TTETTCJANF-12.800000
|
Taitien
|
TT
|
TCXO
|
12.8MHz
|
CMOS
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±4.6ppm
|
|
TTETTCJANF-20.000000
|
Taitien
|
TT
|
TCXO
|
20MHz
|
CMOS
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±4.6ppm
|
|
TTETTCJANF-24.576000
|
Taitien
|
TT
|
TCXO
|
24.576MHz
|
CMOS
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±4.6ppm
|
|
TTETTCJANF-25.000000
|
Taitien
|
TT
|
TCXO
|
25MHz
|
CMOS
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±4.6ppm
|
|
TTEATCJANF-20.480000
|
Taitien
|
TT
|
VCTCXO
|
20.48MHz
|
CMOS
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±4.6ppm
|
|
TTEAMCJANF-40.000000
|
Taitien
|
TT
|
VCTCXO
|
40MHz
|
CMOS
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±100ppb
|
|
TTETKLSANF-20.000000
|
Taitien
|
TT
|
TCXO
|
20MHz
|
Clipped Sine Wave
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±280ppb
|
|
TTETKLJANF-30.720000
|
Taitien
|
TT
|
TCXO
|
30.72MHz
|
CMOS
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±280ppb
|
|
TTETKLSANF-10.000000
|
Taitien
|
TT
|
TCXO
|
10MHz
|
Clipped Sine Wave
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±280ppb
|
|
TTETKLJANF-19.200000
|
Taitien
|
TT
|
TCXO
|
19.2MHz
|
CMOS
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±280ppb
|
|
TTETKLJANF-25.000000
|
Taitien
|
TT
|
TCXO
|
25MHz
|
CMOS
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±280ppb
|
|
TTEATLJANF-10.000000
|
Taitien
|
TT
|
VCTCXO
|
10MHz
|
CMOS
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±4.6ppm
|
|
TTETTLJANF-12.800000
|
Taitien
|
TT
|
TCXO
|
12.8MHz
|
CMOS
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±4.6ppm
|
|
TTETTLJANF-20.000000
|
Taitien
|
TT
|
TCXO
|
20MHz
|
CMOS
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±4.6ppm
|
|
TTCATLJANF-10.000000
|
Taitien
|
TT
|
VCTCXO
|
10MHz
|
CMOS
|
5V
|
±4.6ppm
|
|
TTEATLJANF-40.000000
|
Taitien
|
TT
|
VCTCXO
|
40MHz
|
CMOS
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±4.6ppm
|
|
TTETTLJANF-16.384000
|
Taitien
|
TT
|
TCXO
|
16.384MHz
|
CMOS
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±4.6ppm
|
|
TTEAALJANF-50.000000
|
Taitien
|
TT
|
VCTCXO
|
50MHz
|
CMOS
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±500ppb
|
|
TTEAPLJANF-40.000000
|
Taitien
|
TT
|
VCTCXO
|
40MHz
|
CMOS
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±1.5ppm
|
|
TTCTBCJANF-10.000000
|
Taitien
|
TT
|
TCXO
|
10MHz
|
CMOS
|
5V
|
±1ppm
|
|
TTEBALJANF-8.192000
|
Taitien
|
TT
|
VCTCXO
|
8.192MHz
|
CMOS
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±500ppb
|
|
TTEBBLJANF-40.000000
|
Taitien
|
TT
|
VCTCXO
|
40MHz
|
CMOS
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±1ppm
|
|
TTETADSANF-50.000000
|
Taitien
|
TT
|
TCXO
|
50MHz
|
Clipped Sine Wave
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±500ppb
|
深圳市康华尔电子有限公司
-
QQ联系
-
632862232
-
服务热线
-
138-2330-0879
-
电话
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