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501EAA48M0000CAF,Si501,Silicon存储应用晶振,3225mm振荡器

频率:48MHz

尺寸:3.2x2.5x0.9mm

501EAA48M0000CAF,Si501,Silicon存储应用晶振,3225mm振荡器,美国进口晶振,Silicon晶振,型号:Si501,编码为:501EAA48M0000CAF,电压:1.7V-3.6V,精度:±50ppm,频率:48MHz,工作温度范围:-20℃至+70℃,小体积晶振尺寸:3.2x2.5x0.9mm封装,四脚贴片晶振,有源晶振,石英晶振,石英晶体振荡器。具有超小型,轻薄型,高精度,高性能,高品质等特点。应用程序:存储(SATA/SAS/PCIe),通用处理器,工业控制器,嵌入式控制器,机控制,流量控制,办公室/家庭自动化,IP摄像头/监控,显示和控制面板,户外电子设备,多功能打印机等。
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501EAA48M0000CAF,Si501,Silicon存储应用晶振,3225mm振荡器,美国进口晶振,Silicon晶振,型号:Si501,编码为:501EAA48M0000CAF,电压:1.7V-3.6V,精度:±50ppm,频率:48MHz,工作温度范围:-20℃至+70℃,小体积晶振尺寸:3.2x2.5x0.9mm封装,四脚贴片晶振,有源晶振,石英晶振,石英晶体振荡器。具有超小型,轻薄型,高精度,高性能,高品质等特点。应用程序:存储(SATA/SAS/PCIe),通用处理器,工业控制器,嵌入式控制器,机控制,流量控制,办公室/家庭自动化,IP摄像头/监控,显示和控制面板,户外电子设备,多功能打印机等。
有源晶体Si501 CMEMS振荡器系列为传统的石英晶体振荡器提供了单片的,基于mems的IC替代品。硅实验室的CMEMS技术将标准CMOS+MEMS结合在一个单片IC集成电路中,提供集成、高质量和高可靠性的振荡器。每个设备都经过工厂测试和配置,以保证其在电压、工艺、温度、冲击、振动和老化等方面的性能。

501EAA48M0000CAF,Si501,Silicon存储应用晶振,3225mm振荡器,参数表

Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Frequency
Range
FCLK 48

MHz
Clock Period TCLK 1/FCLK 31,250  10 ns
Total Stability1 F STAB –20 +20 ppm
–30 +30 ppm
–50 +50 ppm
Initial
Accuracy
FI Measured at 25 。C at the time of
shipping
±2 ppm
Startup Time2 TSU From V DD crossing 1.71 V to first
clock output
2.5 4 ms
Resume
Time3,4
T RUN From Sleep mode 2.5 5 ms
From Doze mode 1.7 2.55 ms
From Stop mode5 1.5 x TCLK +
35
ns
Output Disable
Time3,4
TD To Sleep/Doze mode, from output
running
225 µs
To Stop, from output running 1.5 x TCLK +
35
ns
Frequency
Update
Time4,6
T NEW_FREQ 5 ms

501EAA48M0000CAF,Si501,Silicon存储应用晶振,3225mm振荡器,尺寸图

Si501,Si502,Si503,3225

Si501 Si502 Si503

Si501编码

原厂代码 进口晶振 型号 频率 电压 频率稳定度
501AAA27M0000DAF Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA27M0000DAG Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501JCA100M000CAG Silicon晶振 Si501 100MHz 3.3V ±20ppm
501JCA100M000BAG Silicon晶振 Si501 100MHz 3.3V ±20ppm
501JAA24M0000DAF Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±50ppm
501BAA16M0000DAF Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±50ppm
501JAA24M0000CAF Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±50ppm
501AAA27M0000CAF Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA25M0000BAF Silicon晶振 Si501 25MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501JAA40M0000CAF Silicon晶振 Si501 40MHz 3.3V ±50ppm
501AAA24M0000BAF Silicon晶振 Si501 24MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501EAA48M0000CAF Silicon晶振 Si501 48MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA27M0000BAF Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501EAA48M0000BAF Silicon晶振 Si501 48MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501JAA25M0000BAF Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±50ppm
501BAA50M0000BAF Silicon晶振 Si501 50MHz 3.3V ±50ppm
501AAA50M0000CAF Silicon晶振 Si501 50MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501EAA48M0000DAG 小体积晶振 Si501 48MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501AAA25M0000DAG Silicon晶振 Si501 25MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501HCA27M0000DAF Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ABA8M00000BAF Silicon晶振 Si501 8MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±30ppm
501HCA12M0000DAF Silicon晶振 Si501 12MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501JCA24M0000DAF Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±20ppm
501AAA24M0000BAG Silicon晶振 Si501 24MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501BCA16M0000BAF Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±20ppm
501JCA24M0000CAF Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±20ppm
501HCA26M0000BAF Silicon晶振 Si501 26MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501JAA25M0000BAG Silicon晶振 Si501 25MHz 3.3V ±50ppm
501BCA16M0000CAF Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±20ppm
501EAA48M0000CAG Silicon晶振 Si501 48MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
501BAA16M0000BAG Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±50ppm
501BAA16M0000CAG Silicon晶振 Si501 16MHz 3.3V ±50ppm
501JAA24M0000BAG Silicon晶振 Si501 24MHz 3.3V ±50ppm
501AAA27M0000BAG Silicon晶振 Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm

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