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Shenzhen KONUAER electronics co. LTD

SEIKO EPSON CRYSTAL CO,LTD.

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百利通亚陶晶振,有源晶振,FJ晶振,FJ2500036Z晶振,有源贴片晶振

频率:1-156.25MHZ

尺寸:2.5*2.0mm

贴片石英晶振最适合用于车载电子领域的小型表面贴片VCXO晶振.也可对应有高可靠性要求的引擎控制用CPU的时钟部分简称为时钟晶体振荡器,在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.
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百利通亚陶晶振,有源晶振,FJ2500036Z晶振,2520mm体积的晶振,可以说是目前小型数码产品的福音,目前超小型的智能手机里面所应用的就是小型的石英晶振,该产品最适用于无线通讯系统,无线局域网,已实现低相位噪声,低电压,低消费电流和高稳定度,超小型,质量轻等产品特点,产品本身编带包装方式,可对应自动高速贴片机应用,以及高温回流焊接(产品无铅对应),为无铅产品.

有源晶振,是只晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,温补晶振产品本身已实现与薄型IC(TSSOP封装,TVSOP封装)同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接(无铅对应)产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要.

NSK晶振规格

单位

频率范围

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

1-156.25MHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-55°C ~ +125°C

裸存

工作温度

T_use

-40°C ~ +85°C

标准温度

激励功率

DL

10~100μW Max.

推荐:1μW ~ 100μW

频率公差

f_— l

±20ppm× 10-6 (标准),
(±15 × 10-6 ~ ±50 × 10-6 可用)

+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.epsoncrystal.com/

频率温度特征

f_tem

±10,20,30,50ppm × 10-6/-20°C ~ +70°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

15pF

不同负载电容要求,请联系我们.

电压

V

2.97-3.63V


频率老化

f_age

±3× 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

百利通亚陶晶振编码表:

Manufacturer Part Number原厂代码 Manufacturer品牌 Series型号 Frequency 频率 Frequency Stability频率稳定度 Operating Temperature     工作温度 Package / Case包装/封装 Size / Dimension 尺寸 Height - Seated (Max)高度
FJ2400002 Diodes Incorporated FJ 24MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C 4-SMD, No Lead 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) 0.039" (1.00mm)
FJ2400002 Diodes Incorporated FJ 24MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C 4-SMD, No Lead 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) 0.039" (1.00mm)
FJ1600002 Diodes Incorporated FJ 16MHz ±50ppm -20°C ~ 70°C 4-SMD, No Lead 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) 0.039" (1.00mm)
FJ1600002 Diodes Incorporated FJ 16MHz ±50ppm -20°C ~ 70°C 4-SMD, No Lead 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) 0.039" (1.00mm)
FJ1600002 Diodes Incorporated FJ 16MHz ±50ppm -20°C ~ 70°C 4-SMD, No Lead 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) 0.039" (1.00mm)
FJ1120001Z Diodes Incorporated FJ 11.2896MHz ±25ppm -40°C ~ 85°C 4-SMD, No Lead 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) 0.039" (1.00mm)

FJ-3.3V 2.5_2.0 CMOS

百利通亚陶晶振型号列表:

零件号

描述

稳定性(ppm)

包装尺寸

频率范围(MHz)

抖动

输出逻辑

电源电压(V)

遗产PN

FJ 3.3V

基本/第三泛音

20至50

2.5 x 2.0

1到162

<1 ps RMS

CMOS

3.3

4

 

FK 1.2V

基本/第三泛音

20至50

3.2 x 2.5

1至60

<1 ps RMS

CMOS

1.2

4

 

FK 1.8V

基本/第三泛音

20至50

3.2 x 2.5

1至135

<1 ps RMS

CMOS

1.8

4

S1642

FD 1.8V

基本/第三泛音

2050

5.0 x 3.2

1162

<1 ps RMS

CMOS

1.8

4

S1632

FD 2.5V

基本/第三泛音

2050

5.0 x 3.2

1162

<1 ps RMS

CMOS

2.5

4

S1634

FD 3.3V

基本/第三泛音

20至50

5.0 x 3.2

1到162

<1 ps RMS

CMOS

3.3

4

S1633

石英晶振自动安装和真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些产品。请设置安装条件以尽可能将冲击降至最低,并确保在安装前未对晶振特性产生影响。条件改变时,请重新检查安装条件。同时,在安装前后,请确保石英晶振产品未撞击机器或其他电路板等。

每个封装类型的注意事项

(1)陶瓷包装晶振与SON产品

在焊接陶瓷封装晶振和SON产品 (陶瓷包装是指晶振外观采用陶瓷制品) 之后,弯曲电路板会因机械应力而导致焊接部分剥落或封装分裂(开裂)。尤其在焊接这些产品之后进行电路板切割时,务必确保在应力较小的位置布局晶体并采用应力更小的切割方法。

(2)陶瓷包装石英晶振

在一个不同扩张系数电路板(环氧玻璃)上焊接陶瓷封装石英晶振时,在温度长时间重复变化时可能导致端子焊接部分发生断裂,请事先检查焊接特性。

(3)柱面式产品

产品的玻璃部分直接弯曲引脚或用力拉伸引脚会导致在引脚根部发生密封玻璃分裂(开裂),也可能导致气密性和产品特性受到破坏。当有源晶振的引脚需弯曲成下图所示形状时,应在这种场景下留出0.5mm的引脚并将其托住,以免发生分裂。当该引脚需修复时,请勿拉伸,托住弯曲部分进行修正。在该密封部分上施加一定压力,会导致气密性受到损坏。所以在此处请不要施加压力。另外,为避负机器共振造成引脚疲劳切断,建议用粘着剂将产品固在定电路板上。

百利通亚陶晶振,有源晶振,FJ_3.3V晶振

        百利通亚陶晶振全体员工都积极地投身环保活动,希望能够在兼顾环保性和经济性的同时,实现可持续发展。尤其是在节能、温室效应对策方面,引进节能设备、安装太阳能发电系统、实施墙面绿化等开展了一系列节能活动。2.5*2.0mm金属面石英晶振此外,还开展了保护生物多样性等活动。

        百利通亚陶晶振为区域发展所做的贡献受到了高度评价.百利通亚陶晶振的各项能源、资源消耗指标和排放指标达到国内领先、国际先进水平。汽车电子晶振实施创新战略,提高自主创新能力,确保公司可持续发展。实施节约战略,提高建设节约环保型企业能力,确保实现节能环保规划目标。

百利通亚陶晶振,有源晶振,FJ_3.3V晶振

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