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Shenzhen KONUAER electronics co. LTD

SEIKO EPSON CRYSTAL CO,LTD.

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百利通亚陶晶振,有源晶振,FD晶振,FD0180008晶振,金属面石英晶振

频率:1-133MHZ

尺寸:5.0*3.2mm

普通石英晶振,外观完全使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体振荡器,焊接方面支持表面贴装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能,差分晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动贴片机高速安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
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百利通亚陶晶振,有源晶振,FD0180008晶振,超小型表面贴片型SMD晶振,最适合使用在汽车电子领域中,也是特别要求高可靠性的引擎控制用CPU的时钟部分.低频晶振可从7.98MHz起对应,小型,超薄型具备强防焊裂性,石英晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接以及高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.

石英晶振的切割设计:用不同角度对有源晶振的石英晶棒进行切割,可获得不同特性的石英晶片,通常我们把晶振的石英晶片对晶棒坐标轴某种方位(角度)的切割称为石英晶片的切型。不同切型的石英晶片,因其弹性性质,压电性质,温度性质不同,其电特性也各异,石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型还有 CT、DT、GT、NT 等。

NSK晶振规格

单位

频率范围

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

1-133MHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-40°C ~ +85°C

裸存

工作温度

T_use

-20°C ~ +70°C

标准温度

激励功率

DL

10~100μW Max.

推荐:1μW ~ 100μW

频率公差

f_— l

±20ppm× 10-6 (标准),
(±15 × 10-6 ~ ±50 × 10-6 可用)

+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.epsoncrystal.com/

频率温度特征

f_tem

±10,20,30,50ppm × 10-6/-20°C ~ +70°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

15pF

不同负载电容要求,请联系我们.

电压

V

3.97-3.63V


频率老化

f_age

±3× 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

百利通亚陶晶振编码表:

Manufacturer Part Number原厂代码 Manufacturer品牌 Series型号 Frequency 频率 Frequency Stability频率稳定度 Operating Temperature     工作温度 Package / Case包装/封装 Size / Dimension 尺寸 Height - Seated (Max)高度
FD2450017 Diodes Incorporated  FD 24.576MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C 4-SMD, No Lead 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) 0.051" (1.30mm)
FD2450017 Diodes Incorporated FD 24.576MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C 4-SMD, No Lead 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) 0.051" (1.30mm)
FD2450017 Diodes Incorporated FD 24.576MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C 4-SMD, No Lead 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) 0.051" (1.30mm)
FD0180010 Diodes Incorporated FD 1.8432MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C 4-SMD, No Lead 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) 0.051" (1.30mm)
FD0200014 Diodes Incorporated FD 2.048MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C 4-SMD, No Lead 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) 0.051" (1.30mm)
FD0360019 Diodes Incorporated FD 3.6864MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C 4-SMD, No Lead 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) 0.051" (1.30mm)
FD0800013 Diodes IncorporatFed FD 8MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C 4-SMD, No Lead 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) 0.051" (1.30mm)

FD_3.3V 5.0_3.2 CMOS


百利通亚陶晶振型号列表:

零件号

描述

稳定性(ppm)

包装尺寸

频率范围(MHz)

抖动

输出逻辑

电源电压(V)

遗产PN

FD 3.3V

基本/第三泛音

20至50

5.0 x 3.2

1到162

<1 ps RMS

CMOS

3.3

4

S1633

FDQ 1.8V

基本/第三泛音

20至50

5.0 x 3.2

1至135

<1 ps RMS

CMOS

1.8

4

 

FDQ 2.5V

基本/第三泛音

20至50

5.0 x 3.2

1到162

<1 ps RMS

CMOS

2.5

4

 

FDQ 3.3V

基本/第三泛音

20至50

5.0 x 3.2

1到162

<1 ps RMS

CMOS

3.3

4

 

FJ 1.2V

基本/第三泛音

20至50

2.5 x 2.0

1至60

<1 ps RMS

CMOS

1.2

4

1:抗冲击

抗冲击是指贴片晶振产品可能会在某些条件下受到损坏。例如从桌上跌落,摔打,高空抛压或在贴装过程中受到冲击。如果产品已受过冲击请勿使用。因为无论何种石英晶振,其内部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都会给晶振照成不良影响。

2:辐射

将贴片晶振暴露于辐射环境会导致产品性能受到损害,因此应避免阳光长时间的照射。

3:化学制剂 / pH值环境

请勿在PH值范围可能导致腐蚀或溶解石英晶振或包装材料的环境下使用或储藏这些产品。

4:粘合剂

请勿使用可能导致石英晶振所用的封装材料,终端,组件,玻璃材料以及气相沉积材料等受到腐蚀的胶粘剂。(比如,氯基胶粘剂可能腐蚀一个晶振的金属“盖”,从而破坏密封质量,降低性能。)

5:卤化合物

请勿在卤素气体环境下使用温补晶振。即使少量的卤素气体,比如在空气中的氯气内或封装所用金属部件内,都可能产生腐蚀。同时,请勿使用任何会释放出卤素气体的树脂。

6:静电

过高的静电可能会损坏贴片晶振,请注意抗静电条件。请为容器和封装材料选择导电材料。在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作。

百利通亚陶晶振,有源晶振,FD_3.3V晶振

        我们将持续关注企业社会责任各项新议题,使本公司台湾百利通亚陶晶振更加完整并落实企业社会责任所有面向.

        对内,我们将透过各种教育训练与活动,低偏差5032贴片晶振用心创造一个多元且充满活力的工作环境 (例如健康促进活动); 对外,本公司透过与利害相关团体间的沟通,积极落实企业社会责任活动,持续投入社会公益,降低对社会环境之冲击.

        百利通亚陶晶振科技本于‘善尽企业责任、降低环境冲击、提升员工健康’的理念,执行各项环境及职业安全卫生管理工作;ROHS环保型晶体落实公司环安卫政策要求使环境暨安全卫生管理成效日益显着,不仅符合国内环保、劳安法令要求,同时也能达到国际环保、安全卫生标准.

百利通亚陶晶振,有源晶振,FD_3.3V晶振

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