您好!欢迎进入来到康华尔电子爱普生晶振专营!

康华尔电子-中国供应商

Shenzhen KONUAER electronics co. LTD

SEIKO EPSON CRYSTAL CO,LTD.

爱普生晶振
全国统一服务热线:

86-0755-27838351

石英贴片晶振低损耗,抗振性强,小体积,符合市场发展要求
当前位置首页 » 行业资讯 » 低相位噪声温补晶振X1G006071009014专用于5G基站设备

低相位噪声温补晶振X1G006071009014专用于5G基站设备

返回列表 来源:爱普生晶振 查看手机网址
扫一扫!低相位噪声温补晶振X1G006071009014专用于5G基站设备扫一扫!
浏览:- 发布日期:2022-09-16 14:06:48【
分享到:

爱普生晶振公司1942年成立以来一直活跃在晶振领域,注重自主品牌的建设,掌握自主研制,定制,实现全套的晶振工艺技术流程,拥有温补晶体振荡器技术的自主技术专利和产品线,能够为客户提供全国产化晶振解决方案.

爱普生晶振公司最新推出的高稳定性温补晶振(TCXO),型号TG-5510CB(10脚贴片),和TG-5511CB(四脚贴片),都支持CMOS输出,外形尺寸为5.0x3.2x
1.5mm石英贴片晶振,采用3.3V供电,可输出的频率范围是10MHz至54MHz。针对5G基站和边缘计算,额定温度为+85需要室外安装、小型化和无风扇运行与其它TCXO相比,它提供了多种改进,例如低温斜率和相位噪声,符合GR-1244-CORE Stratum3和G.8262.1、g . 8273.2(A、B级)。可应用在网络同步,BTS,微波,以及需要符合Stratum3、SyncE和IEEE1588等规范的产品中注意:本产品没有电压控制(Vc)功能.

低相位噪声温补晶振X1G006071009014专用于5G基站设备

产品编码 型号 频率 小体积晶振 输出波 电源电压 精度
X1G006061004514 TG-5510CB 25.000000MHz 5.00x3.20x1.50mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm
X1G006061004814 TG-5510CB 50.000000MHz 5.00x3.20x1.50mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm
X1G006061007614 TG-5510CB 30.720000MHz 5.00x3.20x1.50mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm
X1G006061008214 TG-5510CB 38.400000MHz 5.00x3.20x1.50mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm
X1G006061009014 TG-5510CB 25.000000MHz 5.00x3.20x1.50mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm
X1G006061009214 TG-5510CB 25.600000MHz 5.00x3.20x1.50mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm
X1G006061009414 TG-5510CB 12.800000MHz 5.00x3.20x1.50mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm
X1G006061009514 TG-5510CB 20.000000MHz 5.00x3.20x1.50mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm
X1G006061009714 TG-5510CB 50.000000MHz 5.00x3.20x1.50mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm
X1G006061009814 TG-5510CB 10.000000MHz 5.00x3.20x1.50mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm

TG-5510CB

产品编码 型号 频率 尺寸 输出波 电源电压 精度
X1G006071004514 TG-5511CB 25.000000MHz 5.00x3.20x1.50mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm
X1G006071004814 TG-5511CB 50.000000MHz 5.00x3.20x1.50mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm
X1G006071007614 TG-5511CB 30.720000MHz 5.00x3.20x1.50mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm
X1G006071008214 TG-5511CB 38.400000MHz 5.00x3.20x1.50mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm
X1G006071009014 TG-5511CB 25.000000MHz 5.00x3.20x1.50mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm
X1G006071009214 TG-5511CB 25.600000MHz 5.00x3.20x1.50mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm
X1G006071009414 TG-5511CB 12.800000MHz 5.00x3.20x1.50mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm
X1G006071009714 TG-5511CB 50.000000MHz 5.00x3.20x1.50mm CMOS 3.135 to 3.465 V +/-1.0 ppm
低相位噪声温补晶振X1G006071009014专用于5G基站设备

TG-5510CB和TG-5511CB的特性如下:
输出频率(fo):10MHz至54MHz
电源电压:3.3V(典型值)
操作温度:-40℃至+ 85℃(105℃选项)
频率/温度特性:±0.28×10-6(-40℃至+85℃)
频率斜率:±0.2×10-6 /℃ (-40℃至+85℃)
自由运行精度:±4.6×10 -6*大值/ 20年(对于Stratum3)
漂移产生(TDEV,MTIE):
符合:ITU-T G.8262.1,G8273。 2-
外部尺寸:5.0x3.2x1.45mm有源晶体
(Vc功能:不支持)
应用程序:网络设备,基站,微波炉,同步合规标准,Stratum3,同步,IEEE1588

[温度补偿功能],TCXO 内部集成了一个固定频率的AT 型水晶振动子,因为水晶的材料特性,振动子具有确定的温度-频率特性,同时也因为这个特性,使晶振在受温度影响时,频率会随温度的变化而变化.温补晶体振荡器是一种可以提供全温度范围内高精度频率输出的有源振荡器,多用于对频率精度要求高的场景,如智能手机、GPS、无线通讯模块、微机站(FemtoCell)等。