进口有源晶振,SG5032CCN晶振,贴片晶体振荡器,X1G0044710003晶振

爱普生晶振,有源晶振,SG5032CCN晶振,5032mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接（无铅对应）,为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.

贴片晶振的真空封装技术：是指石英晶振在真空封装区域内进行封装。1.防止外界气体进入组件体内受到污染和增加应力的产生；2.使陶瓷晶振组件在真空下电阻减小；3.气密性高。此技术为研发及生产超小型、超薄型石英晶振必须攻克的关键技术之一

项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f0	2.5-50MHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	VCC	4.5-5.5V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-40℃to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -20℃to +70℃	请联系我们查看更多资料http://www.epsoncrystal.com
		H: -40℃to +85℃

频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.
输出电压	VOL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	50pF Max.
输入电压	VIH	80% VCCMax.	ST终端
输入电压	VIL	20 % VCCMax.	ST终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6/ year Max.	+25℃,初年度,第一年

爱普生有源晶振编码列表：

ProductNumber

Model

Frequency

LxWxH

OutputWave

OpeTemperature

Freq.Tol.

I[Max]

25°CAging

Aging2

Symmetry

X1G0044710003	SG5032CCN	32.000000MHz	5.00x3.20x1.30mm	CMOS	-40to85°C	+/-50ppm	≤20.0mA	+/-5ppm	40to60%
X1G0044710004	SG5032CCN	20.000000MHz	5.00x3.20x1.30mm	CMOS	-40to85°C	+/-50ppm	≤20.0mA	+/-5ppm	40to60%
X1G0044710005	SG5032CCN	8.000000MHz	5.00x3.20x1.30mm	CMOS	-40to85°C	+/-50ppm	≤20.0mA	+/-5ppm	40to60%
X1G0044710006	SG5032CCN	16.000000MHz	5.00x3.20x1.30mm	CMOS	-40to85°C	+/-50ppm	≤20.0mA	+/-5ppm	40to60%
X1G0044710007	SG5032CCN	25.000000MHz	5.00x3.20x1.30mm	CMOS	-40to85°C	+/-50ppm	≤20.0mA	+/-5ppm	40to60%
X1G0044710008	SG5032CCN	40.000000MHz	5.00x3.20x1.30mm	CMOS	-40to85°C	+/-50ppm	≤20.0mA	+/-5ppm	40to60%
X1G0044710009	SG5032CCN	48.000000MHz	5.00x3.20x1.30mm	CMOS	-40to85°C	+/-50ppm	≤20.0mA	+/-5ppm	40to60%

SG5032CAN 7050CAN CBN CCN CMOS

爱普生有源晶振产品列表：

型号	尺寸 [mm]	输出波	输出频率范围[MHz]	供电电压 [V]	频率容差工作温度 [x10 ^ -6 /°C至°C]
SG3225VAN	3.2 x 2.5	LVDS（VAN）	73.5至700	2.5至3.3	+/- 50 / -20至+70 +/- 50 / -40至+85 +/- 30 / -20至+70 +/- 30 / -40至+85 +/- 20 / -20至+70
SG3225VEN	3.2 x 2.5	LVDS	25至200	2.5 3.3	+/- 25 / -40到+85
SG5032CAN SG5032CBN SG5032CCN	5.0 x 3.2	CMOS	1至75（CAN） 80至170（CBN） 2.5至50（CCN）	1.6至3.63 （CAN / CBN） 4.5至5.5（CCN）	+/- 25 / -20至+70（仅CAN） +/- 50 / -20至+70 +/- 50 / -40至+85 +/- 50 / -40至+105（仅限CAN） + / -100 / -40到+105（仅限CAN）
SG5032EAN	5.0 x 3.2	LV-PECL	73.5至700	2.5至3.3	+/- 50 / -20至+70 +/- 50 / -40至+85 +/- 30 / -20至+70 +/- 30 / -40至+85 +/- 20 / -20至+70
SG5032VAN	5.0 x 3.2	LVDS（VAN）	73.5至700	2.5至3.3	+/- 50 / -20至+70 +/- 50 / -40至+85 +/- 30 / -20至+70 +/- 30 / -40至+85 +/- 20 / -20至+70
SG7050CAN SG7050CBN SG7050CCN	7.0 x 5.0	CMOS	1至75（CAN） 80至170（CBN） 2.5至50（CCN）	1.6至3.63 （CAN / CBN） 4.5至5.5（CCN）	+/- 25 / -20至+70（仅CAN） +/- 50 / -20至+70 +/- 50 / -40至+85 +/- 50 / -40至+105（仅限CAN） + / -100 / -40到+105（仅限CAN）

如果由频率计数器测量的频率比目标频率高，要增加石英晶振的电容（CL，或Cd以及C 8）的值，以降低频率到目标频率，反之亦然。请检查波形幅度是否改善或没有经过我们调整频率。如果它的改善，这表示该电路的原始设计不是调谐到最佳共振点为晶体的情况。该晶振应正常后，谐振点的调整。如果波形幅度甚至没有提高的频率非常接近目标频率，我们可以通过以下三种方法改进：

方法1：降低产品线路外部电容（Cd和CG）的值，并通过有源晶体具有较低负载电容（CL）。

方法2：采用小电阻（RR）的晶体。

方法3：使用镉和CG的不等价的设计。

我们可以增加镉（XOUT）的负载电容和降低CG（辛）的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出。我们建议您使用上面的方法来节省成本，保证安全。请用频率计数器来测量所述晶体，以确保经调整频率仍然满足原说明书后的波形的振幅进行了改进。如果频率不符合规格，请采用晶体合适的CL值为根据您的目标频率。请采用贴片晶振具有较低的CL如果频率比目标频率，反之亦然高得多系统不能正常工作，由于输出频率会偏差很大。